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基于InGaAs/InP SPAD(Single Photon Avalanche Diode,单光子雪崩二极管)的多通道单光子探测器

发布日期:2025-09-12 / 打印本页

2.2多通道单光子探测器.png2.1多通道单光子探测器.png

窄禁带半导体研究中心针对高温SPAD芯片,开发芯片设计、薄膜生长、超薄晶圆加工及测试全套技术,有效降低高温暗计数率并增强探测效率,成果突破低温限制,单管样品在0℃性能达标,核心指标与国际水平相当,符合量子密钥分发系统(QKD)要求。同时突破高密度阵列异质集成、通道间串扰抑制及低温封装技术,完成具备高密钥分发速率和高时间分辨率的多通道探测器样品研制。成果填补了国内的空白,集成度高,助于系统小型化、模块化并降低成本。

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