基于光电子技术和微纳制造工艺技术，聚焦于对社会发展有重要作用的通信、传感领域，开展核心芯片、器件和系统的研究工作。通过对电子元器件、光通信器件、智能传感器件和系统等核心产品的研究，打造具备“芯片-器件-系统”垂直整合制造能力的国内一流光电一体化平台。

中心主要研究以GaN、Ga2O3和金刚石为代表的宽禁带与超宽禁带半导体材料的新型发光器件、射频器件、功率器件和传感器件，内容涵盖半导体基础理论、材料外延生长（8英寸）、表征、结构设计、器件微纳加工、封装、测试及性能分析。

中心团队主要基于郑州超算中心项目测试需求的系统盘、数据盘两种规格参数，就硬盘形态、尺寸、硬盘接口、接口速率、容量、位置、读写性能要求及液体浸没兼容性等方面展开研究，重点在硬盘形态（M.2）和浸没兼容性。