中心主要研究以GaN、Ga2O3和金刚石为代表的宽禁带与超宽禁带半导体材料的新型发光器件、射频器件、功率器件和传感器件，内容涵盖半导体基础理论、材料外延生长（8英寸）、表征、结构设计、器件微纳加工、封装、测试及性能分析。