王焜

助理研究员

 电子邮箱:k.wang@hnas.ac.cn

  王焜，墨子实验室助理研究员，主要从事宽禁带半导体器件及铁电材料研究。主要研究方向包括：（1）氮化镓基射频功率器件的设计与开发；（2）氧化铪基铁电薄膜及其器件应用的研究；（3）金属氧化物薄膜晶体管的设计与开发。参与国家重点研发计划、湖北省JD攻关项目。以第一作者及通讯作者在Chemical Engineering Journal，IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Electron Devices等期刊上发表多篇SCI论文。

教育经历

2016.09-2020.06 山东大学（威海） 应用物理学专业 理学学士

2020.09-2022.06 武汉大学 微电子学与固体电子学专业 工学硕士

2022.09-2025.06 武汉大学 微电子学与固体电子学专业 工学博士

 工作经历

2025.06至今 墨子实验室 助理研究员

 近五年代表性论文、专利

Kun Wang, Jiaxian Wan, Keyue Chen, Zexin Tu, Hao Wu*, Chang Liu*. Hf_0.5Zr_0.5O₂ based ferroelectric gate AlGaN/GaN HEMTs with steep subthreshold swings. IEEE Transactions on Electron Devices 70(11): 6082-6085(2023).

Kun Wang, Sizhe Li, Liwei Ji, Jiaxian Wan, Zexin Tu, Hao Wu*, Chang Liu*. Atomic layer deposited ZnO negative capacitance thin-film transistors withHf_0.5Zr_0.5O₂-based ferroelectric gates. IEEE Electron Device Letters 45(12): 2399-2402(2024).

Kun Wang, Jiaxian Wan, Liwei Ji, Zexin Tu, Zhiyv Zeng, Hao Wu*, Chang Liu*. Multilayer nanolaminate Hf_0.5Zr_0.5O₂ thick films with high endurance and remnant polarization. Chemical Engineering Journal 510(15): 161787(2025)