徐旸

工艺工程师

电子邮箱:Y.Xu@hnas.ac.cn

徐旸，墨子实验室工艺工程师，主要从事III-V族氮化物的生长和特性研究。熟练使用各种半导体方向的各种仪器：（1）非常了解分子束外延（MBE）的原理，独立并熟练操作分子束外延设备，能对该设备做很好的维护。（2）在应用分子束外延设备生长GaN基半导体材料及器件方面，具有丰富的经验。（3）独立并熟练地操作高分辨X射线衍射（HRXRD），扫描式电子显微镜（SEM），光致发光（PL）和快速热退火 (RTA),并对数据进行有效的分析。（4）了解原子层沉积技术（ALD）和电子束蒸发（EBE）的原理，及生长技术.（5）熟悉并经常使用 XRD, AFM, SEM, Raman, PL, SEM, Hall, XPS, EDS等表征手段。（6）熟练掌握 Windows、Unix、Linux等操作系统。（7）熟练掌握图像处理软件、函数绘图软件、数学软件等办公及制图软件。合作发表高水平论文6篇。

教育经历

2006.09-2010.06 武汉大学 物理学基地班 理学学士

2010.09-至今 武汉大学 凝聚态物理 理学博士（硕博连读）

工作经历

2025.06-至今 墨子实验室 工艺工程师

近五年代表性论文、专利

1. C. Chen, T. Wang, H. Wu, H. Zheng, J. B. Wang, Y. Xu, and C. Liu*, Room-temperature electrically pumped near-infrared random lasing from high-quality m-plane ZnO-based metal-insulator-semiconductor devices, [J]. Nanoscale Research Letters, 10, 100 (2015)

2. Z. W. Ai, Y. Wu, H. Wu, T. Wang, C. Chen, Y. Xu and C. Liu*, Enhanced band-edge photoluminescence from ZnO-passivated ZnO nanoflowers by atomic layer deposition, [J]. Nanoscale Research Letters, 8, 105 (2013).

3. T. Wang, H. Wu, H. Zheng, J. B. Wang, Z. Wang, C. Chen, Y. Xu, and C. Liu*, Nonpolar light emitting diodes of m-plane ZnO on c-plane GaN with the Al2O3 interlayer, [J]. Applied Physics Letters, 102, 141912 (2013).

4. Wei Wang, Xuewei Gan, Yang Xu, Ti Wang, Hao Wu, Chang Liu*, High-quality n-type aluminum gallium nitride thin films Grown by interrupted deposition and in-situ thermal annealing, [J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 30 (2015).

5. Yingzhao Geng, Yang Xu, Xu Li , Xiao Wang , Hao Wu*, Chang Liu*, Van der Waals epitaxy GaN on fluorophlogopite mica for transfer-free flexible UV photodetector, [J]. Materials Letters, 385, 15 April 2025, 138185

6. Yingzhao Geng; Xu, Y; Li, X; Wang, X ; Wu, H*; Liu, C*; Graphene-assisted remote epitaxy wrinkle-free GaN films on flexible mica, [J]. Journal of Alloys and Compounds,  1005, 15 November 2024, 176032