宽禁带与超宽禁带半导体研究中心
苏 曦助理研究员


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苏曦

助理研究员

电子邮箱: xsu@hnas.ac.cn

苏曦,墨子实验室助理研究员,主要从事宽禁带半导体材料与器件研究。主要研究方向包括:(1)自然光芯片研制;(2)氧化锌薄膜及其器件应用的研究;(3)氧化镓薄膜材料及其器件的研究。参与国家重点研发计划、国家自然科学基金、湖北省JD攻关项目。在Applied Surface Science,Journal of Alloys and Compounds,Journal of Vaccum Science & Technology A等期刊上发表多篇SCI论文。

教育经历

2007.09-2011.06 武汉大学 电子科学与技术专业 工学学士

2014.09-2016.06 武汉大学 微电子学与固体电子学专业 工学硕士

2016.09-2019.06 武汉大学 微电子学与固体电子学专业 工学博士

 工作经历

2011.07-2012.08 中航锂电(洛阳)有限公司 工艺工程师

2019.10-2024.03 武汉大学 物理学 博士后 徐红星院士(合作导师)

2024.01至今 墨子实验室 助理研究员

承担项目

湖北省JD计划项目子课题(2023-2026),主持,在研。

 近五年代表性论文、专利

一种能直接发射白光的半导体异质结发光芯片 发明专利 ZL201910550394.0