黄安华

助理研究员

电子邮箱: ahhuang@hnas.ac.cn

黄安华，墨子实验室助理研究员，主要利用紧束缚模型、k.p方法和第一性原理计算研究半导体材料和二维材料的电子结构和输运性质等。主要研究方向包括：（1）二维拓扑绝缘体的预测和理论计算；（2）基于Floquet理论研究光场诱导的拓扑相变；（3）半导体工艺与器件计算机辅助设计（Technology Computer Aided Design，TCAD）仿真软件的研究与开发；（4）基于非平衡格林函数方法的输运性质模拟计算。参与国家自然科学基金面上项目、中国科学院基础与交叉前沿科研先导专项等。以第一作者及合作作者在国际期刊发表SCI论文4篇。

教育经历

2015.09-2019.06 厦门大学 微电子科学与工程 工学学士

2019.09-2024.06 中国科学院半导体研究所 凝聚态物理 理学博士

工作经历

2024.07-2025.07 曙光信息产业股份有限公司 应用技术工程师和智能应用工程师

2025.08至今 墨子实验室 助理研究员

承担项目

中国科学院基础与交叉前沿科研先导专项（2023-2028），参与，在研。

国家自然科学基金面上项目：II型半导体异质结激子绝缘体理论研究（2020-2023），参与，结题。

国家自然科学基金重点项目：基于界面耦合的量子霍尔态调控（2023-2026），参与，在研。

近五年代表性论文、专利

1.Anhua huang, Shasha Ke, Ji-Huan Guan, Jun Li and Wen-Kai Lou*, Strain induced topological phase transition in graphene nanoribbons. Phys. Rev. B 109,045408 (2024).

2.Anhua huang,Shasha Ke,Ji-Huan Guan, Jun Li andWen-Kai Lou*, Floquet-Engineering Topological Phase Transition in Graphene Nanoribbons by Light, Chinese Phys. Lett.41097302 (2024).

3.Anhua huang, Shasha Ke, Ji-Huan Guan and Wen-Kai Lou*, Tight-binding model and quantum transport with disorder for 1T’transition metal dichalcogenides. J. Appl. Phys. 134, 084302 (2023).

4.Ma Zhou, Sheng-Bin Yu, An-hua Huang, Li Wang, and Kai Chang*, Effective k.p model of monolayer 1T'-MoS2 under perpendicular electric field, Phys. Rev.B 108, 035412 (2023).