制造类电子设计自动化研究中心
吴振华（课题组长）首席科学家

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吴振华

首席科学家

吴振华，浙江大学教授，博士生导师。主要研究方向是计算纳米电子学及应用。包括纳米尺度晶体管中载流子输运特性研究，MachineLearning+TCAD仿真计算方法与集成应用等。已在国际主流学术期刊(IEEE EDL/TED, PRL/PRB/PRApplied, APL/JAP等)发表第一作者或通讯作者论文80余篇，ESI高引论文2篇。发表会议论文30余篇，其中半导体器件领域知名会议IEDM论文8篇，VLSI会议论文2篇，申请中国发明专利30余项，美国发明专利4项。论文被引数4000余次，H因子31，入选爱思唯尔全球前2%高被引学者榜单（2024年度）。几项主要研究成果被著名研究机构、公司的学者跟踪引用, 并且与多家国内外企业开展产业合作开发，建立了良好产学研合作关系。

教育经历

2002.09-2006.06南京大学 物理学专业 理学学士

2006/09-2011/07 中国科学院半导体研究所 凝聚态物理学专业 理学博士

工作经历

2024.04-至今 浙江大学量子物态与器件研究中心 教授、博士生导师

2016.06-2024.03 中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师

2013.03-2016.05 三星电子半导体研发中心 高级研发工程师

2011.09-2013.02 三星电子半导体研发中心 研发工程师

荣誉奖项

2019年中国科学院大学优秀本科生指导教师

2018年中国科学院海外人才引进项目择优支持

 承担项目

1.国家自然科学基金重点项目，“面向5G/6G全场景的基带共模可定制化理论与技术”， 2024/01-2028/12，课题三负责人

2.国家重点研发计划项目，“晶圆级‘全在一’纳米器件与芯片集成”，2021/12-2026/11，课题二负责人。

3.国家自然科学基金面上项目，“二维铁电材料异质结器件”， 2022/01-2025/12，项目负责人。

4.国家自然科学基金重点项目，“超薄ZrO2栅介质NC-FinFET及其可靠性研究”， 2020/01-2023/12，课题二负责人。

5.国家自然科学基金面上项目，“高迁移率二维料铟硒及其异质结构的物性、量子输运性质调控和器件应用研究”， 2018/01-2021/12，项目负责人。

 近五年代表性论文、专利

方向一．纳米尺度器件物理研究

1. Xu, H.; Yao, J.; Yang, Z.; Cao, L.; Zhang, Q.; Li, Y.*; Du, A.; Yin, H.; Wu, Zhenhua*, Physical Insights of Si-Core-SiGe-Shell Gate-All-Around Nanosheet pFET for 3 nm Technology Node, IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70: 3365. [通讯作者]

2. Li, X.; Zhu, H.*; Gan, W.; Huang, W.; Wu, Zhenhua*, A Three-Dimensional Simulation Study of the Novel Comb-Like-Channel Field-Effect Transistors for the 5-nm Technology Node and Beyond, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69: 4786. [通讯作者]

3. Gan, W.; Luo, K.; Qi, G.; Prentki, R.; Liu, F.; Huo, J.; Huang, W.; Bu, J.; Zhang, Q.; Yin, H.; Guo, H. Lu, Y.; Wu, Zhenhua*, A Multiscale Simulation Framework for Steep-Slope Si Nanowire Cold Source FET, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68: 5455. [通讯作者]

4. Huang, S.#; Wu, Zhenhua#; Xu, H.; Guo, J.; Xu, L.; Duan, X.; Chen, Q.; Yang, G.; Zhang, Q.; Yin, H.; Wang, L.*; Li, L.*; Liu, Ming, Geometric Variability Aware Quantum Potential based Quasi-ballistic Compact Model for Stacked 6nm-Thick Silicon Nanosheet GAA-FETs, 2021, International Electron Devices Meeting (IEDM). [共同一作]

5.Zhan, G.; Zhu, T.; Yao, J.; Luo, K.; Yin, H.; Zhang, S. and Wu Zhenhua*, Quantum transport for the gate-length scaling limit of Si nanowire field-effect transistors based on calibrated k · p Hamiltonian parameters. Phy. Rev. Appl., 2025, 23: 034049. [通讯作者]

方向二．后摩尔新材料新原理器件path-finding

1. Zhan, G.; Yang, Z.; Luo, K.; Zhang, S.; Wu, Zhenhua*, Large Magnetoresistance and Perfect Spin-Injection Efficiency in Two-Dimensional Strained -Based Room-Temperature Magnetic-Tunnel-Junction Devices, Physical Review Applied, 2023, 19: 014020. [通讯作者] 

2. Xu, Y.; Zhang, C.; Li, W.; Li, R.; Liu, J.*; Liu, Z.; Wu Zhenhua*, High sensitivity ultraviolet graphene-metamaterial integrated electro-optic modulator enhanced by superlubricity, Nanophotonics, 2022, 11:3547. [通讯作者]

3. Shen S.; Wu, L.; Yang, S.; Yang, Q.; Liu, J.*; Wu, Zhenhua*, Optical energy harvesting in vibrate maglev graphite, Carbon, 2022, 187: 266. [通讯作者]

4. Zhou, M.; Zhou, C.; Luo, K.; Li, W.; Liu, J.*; Liu, Z.; Wu, Zhenhua*, Ultrawide bandwidth and sensitive electro-optic modulator based on a graphene nanoelectromechanical system with superlubricity, Carbon, 2021, 176: 228. [通讯作者]

5. Xia, Y.; Guo, S.; Xu, L.; Guo, T.; Wu, Zhenhua*; Zhang, S.*; Sensing Performance of SO2, SO3 and NO2 Gas Molecules on 2D Pentagonal PdSe2: A First-principle Study, IEEE Electron Device Letters, 2021, 42: 573. [通讯作者]

 

方向三．先进TCAD仿真计算方法及设计制造协同优化(DTCO)方法学

1. Luo, Y.; Zhang, Q.; Cao, L.; Gan, W.; Xu, H.; Cao, Y.; Gu, J.; Xu, R.; Yan, G.; Huo, J.; Wu, Zhenhua*, Yin, H.*, Investigation of Novel Hybrid Channel Complementary FET Scaling Beyond 3-nm Node from Device to Circuit, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69: 3581. [通讯作者]

2. Xu, H.; Gan, W.; Cao, L.; Yang, C.; Wu, J.; Zhou, M.; Qu, H., Zhang, S.*; Yin, H.; Wu, Zhenhua*, A Machine Learning Approach for Optimization of Channel Geometry and Source/Drain Doping Profile of Stacked Nanosheet Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69: 3568. [通讯作者]

3. Yang, Q.; Qi, G.; Gan, W.; Wu, Zhenhua*, Yin, H.; Chen, T.; Hu, G.; Wan, J.; Yu, S.; Lu, Y.*, Transistor Compact Model Based on Multigradient Neural Network and Its Application in SPICE Circuit Simulations for Gate-All-Around Si Cold Source FETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68: 4181. [通讯作者]

4.Gan, W.; Prentki, R.; Liu, F.; Bu, J.; Luo, K.; Zhang, Q.; Zhu, H.; Wang, W.; Ye, T.; Yin, H.; Wu, Zhenhua*; Guo Hong*, Design and Simulation of Steep-Slope Silicon Cold Source FETs With Effective Carrier Distribution Model, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67: 2243. [通讯作者]

5.Zhao. Y.; Wang, L.; Wu, Zhenhua, Schanovsky, F.; Xu, X.; Yang, H.; Yu, H.; Lai, J.; Liu, D.; Chuai, X.; Su, Y.; Wang, X.; Li, L.*; Liu, Ming*, A Unified Physical BTI Compact Model in Variability-Aware DTCO Flow: Device Characterization and Circuit Evaluation on Reliability of Scaling Technology Nodes, 2021, Symposium on VLSI Technology (VLSI). [第三作者]．