巫江
教授，光量子精密测量与成像研究课题组主任
电子邮箱:wujiang@hnas.ac.cn
巫江教授现为国家级青年人才、英国工程技术学会会士、英国高等教育学会会士、IEEE高级会员、中国光学工程学会理事兼光电材料与器件专委会秘书长、伦敦大学学院Arena Fellow。曾任伦敦大学学院助理教授、博士生导师、英国未来化合物半导体制造研究中心KPI (Key Principal Investigator)。
团队长期致力于半导体光电材料与器件的研究，特别是在基于化合物半导体异质结的半导体激光器、光电探测器、传感器等研究方向取得了一系列的研究成果，在Nature Photonics、Nature Electronics等国际著名高水平期刊上发表SCI 论文100余篇，授权专利20余项，出版英文专著5部。在相关方向作为项目负责人（PI）和共同负责人（Co-I）承担国家重点研发计划、国家自然基金和英国工程与自然科学研究委员会等项目。
担任国家自然科学基金委、教育部CJ学者奖励计划、中国科协科技人才奖项、英国EPSRC、STFC等评审专家。
目前兼任多个学术期刊编委成员，包括：
1.Discover Nano主编
2.《实验科学与技术》编委委员
3. InfoMat、Journal of Materials Science and Technology、Electron等期刊青年编委
教育经历
2006-2011： 美国阿肯色大学，硕士、博士
2002-2006： 电子科技大学，学士
工作经历
2025 –至今：墨子实验室，兼职教授
2018 –至今：电子科技大学，教授、博导
2015-2018： 英国伦敦大学学院UCL，讲师（终身教职）、博导
2012-2015： 英国伦敦大学学院UCL，博士后研究员
2013-2015： 电子科技大学，校百人特聘研究员、四川省特聘专家
2011-2012： 电子科技大学，副教授
2006-2011： 美国阿肯色大学，研究助理
荣誉奖项
2022-2024年爱思唯尔中国高被引学者
2020年中国发明协会发明创业创新奖金奖
2017年海外引进高层次青年人才
承担项目
KJW项目（2023-2025）, 主持，在研。
国家重点研发计划物态调控专项（2021-2025），课题，在研。
国家自然科学基金国际合作与交流项目（2020-2023），主持，结题。
国家自然科学基金面上项目（2020-2023），主持，结题。
国家自然科学基金面上项目（2015-2018），主持，结题。
近五年代表性论文、专利
1. K Cheng, K Shen, C Li, D Guo, H Wang, Jiang Wu*, "Design of long-wavelength infrared InAs/InAsSb type-II superlattice avalanche photodetector with stepped grading layer, " Electron 2, e73(2024) Selected as Front Cover .
2. Aobo Ren, Hao Wang, Jiang Wu*, et al., "High-bandwidth perovskite photonic sources on silicon," Nature Photonics, 17, 798–805 (2023).
3. Feiyun Zhao, Yan Li, Zhiting Tang, Aobo Ren, Jiang Wu*, "High?Power Multi-Junction 905-nm Vertical Cavity Surface Emitting Laser with AlGaAsSb Electron Blocking Layer," Optics Letters 48 (8), 2142-2145(2023).
4. Aobo Ren, Hao Wang, Wei Zhang*, Jiang Wu*, Zhiming Wang, Richard Penty, Ian White, "Emerging light-emitting diodes for next-generation data communications", Nature Electronics 4, 559–572 (2021).
5. Qi Yuan, Chuang Li, Daqian Guo, Xinyue Cui, Xingyu Tang, Kai Shen, Jiang Wu*, Zhiming Wang, "High Performance Mid-Wave Type-II Superlattice Infrared Photodetectors with a Stepped InAs/GaSb Absorber," IEEE Transactions on Electron Devices 70, 2347 - 2351 (2023).
