光刻区核心设备展示

设备名称：接近接触式光刻

设备品牌：SUSS MicroTec （德国）

设备型号：MA8

功能简介：接近接触式光刻采用１：１成像技术，融合接触式高精度与接近式高良率双重优势。掩模与晶圆保持微小间隙，紫外光透过掩模经衍射将图案转移至光刻胶，以稳定的结构设计，实现亚微米级高精度图形转移。在化合物半导体芯片制造中应用广泛，主要用于功率器件、射频芯片、LED及光电子器件的微米级图形化。

设备特点：MA8是全球标杆级接近接触式光刻机，凭借高精度、全自动化、强兼容性与高稳定性，成为高校科研与工业量产的主流优选设备，综合性能远超同类型传统光刻设备。支持真空接触、硬接触、软接触、接近式四种曝光模式。支持单面、双面全自动套刻对准。

设备名称：电子束光刻（EBL）

设备品牌：Raith GmbH（德国）

设备型号：VOYAGER

功能简介：电子束光刻（EBL）是当前微纳加工领域的核心高精度无掩模光刻技术，通过聚焦高能电子束精准轰击光刻胶，实现纳米级精细图形的直写加工，无需精密掩模版，具备分辨率高、图形设计灵活、适配性广的特点，广泛应用于微纳光学器件、先进半导体器件、量子器件等前沿微纳加工领域。

设备特点：该设备标配50 kV加速电压，热场发射电子枪，最小束斑可达2.5 nm；束流范围5 pA–40 nA，支持高分辨、高效率双模式智能切换，最小加工线宽≤8 nm；100 μm视场下拼接精度、套刻精度均≤20 nm。