清洗区核心设备展示

设备名称：RCA晶圆清洗设备（RCA清洗）

设备品牌：墨子实验室（自研）

设备型号：MZRCA

功能简介：晶圆清洗设备是半导体制造的核心工艺装备，贯穿芯片生产全流程。设备通过精准搭配化学药液、高纯水流与物理辅助工艺，高效去除晶圆表面颗粒、金属杂质、有机污染物及氧化层，有效降低由表面污染引发的电路缺陷、漏电与良率损耗。

设备特点：MZRCA晶圆清洗设备是墨子实验室针对实际使用需求自主研制的多用途晶圆清洗综合平台。可适配2~8英寸化合物半导体晶圆、掩模版、小型芯片及异形基底，适用范围广。通过分步使用碱性、酸性、超纯水药液体系，配合温控、浸润、鼓泡、喷淋与烘干流程，精准去除晶圆表面的有机污染物、颗粒杂质、金属离子残留及氧化层，是保障外延生长、光刻、刻蚀、镀膜等后续微纳加工工艺良率与精度的关键前置设备。

设备名称：去胶剥离机（Metal Lift-off）

设备品牌：宁波润华全芯微电子设备有限公司 （中国）

设备型号：AST6L-111

功能简介：Lift-off（剥离工艺）是半导体图形化常用制程。先在基底涂覆光刻胶并光刻出预设图案，再蒸镀 / 溅射金属、介质等功能薄膜，使薄膜同时覆盖胶层与裸露基底。最后通过去胶剥离机去除光刻胶，胶层上方的薄膜随胶体一同脱落，仅保留基底上的目标图形。该工艺无需刻蚀薄膜，工艺简单、图形边缘规整，广泛用于微纳器件、芯片线路制备。

设备特点：设备采用模块化多腔体设计，通过超声辅助浸泡、高压喷淋剥离及多级过滤循环系统，可有效提升光刻胶与金属残留去除能力，同时降低颗粒污染与化学品消耗，实现高效率、低损伤、高一致性的湿法去胶工艺。满足半导体制造中高洁净度、高良率及低颗粒控制要求。