成膜区核心设备展示
设备名称：电子束蒸发镀膜系统
设备品牌：Denton Vacuum（美国）
设备型号：EXPLORER Electron Beam Evaporation System
功能简介：电子束蒸发设备是物理气相沉积（PVD）技术体系中的核心制程装备。其工作原理为：通过高能电子束轰击靶材表面，将电子动能高效转化为热能，使材料在极短时间内迅速熔融并汽化，沉积在基板表面形成均匀薄膜。该工艺能量高度集中、热效率显著，不仅适用于金属、介质及陶瓷等多种材料体系，在高熔点、高硬度材料制备中更加展现出独特优势。成膜纯度高、致密性好，膜厚均匀可控，且无基体热损伤风险，是实现高质量沉积的可靠工艺路径。
设备特点：设备配备多坩埚蒸发腔体，可在不破坏真空环境的条件下，实现多层金属及介质薄膜的连续沉积，大幅提升镀膜效率与工艺连续性。超高真空工作环境，搭配精准的基底控温、旋转调节及晶振厚度监测模块，能够实时把控镀膜速率与膜层厚度，确保薄膜均匀致密、精度可控。设备支持模块化功能拓展，可兼容电子束蒸发、电阻蒸发、离子辅助沉积等多种工艺模式，适配各类特殊镀膜需求。
设备名称：原子层沉积设备（ALD）
设备品牌：Beneq Oy
设备型号：TFS-200
功能简介：原子层沉积设备（Atomic layer deposition）是通过交替通入前驱体气体和反应气体，在基底表面发生自限制化学反应，逐层沉积形成超薄膜。每次沉积厚度仅一个原子层或分子层。该设备具有高精度、均匀性好、可沉积复杂形状表面、温度相对较低等优点。广泛应用于半导体制造、微纳电子器件、光学薄膜、生物医学等领域，用于制备高性能的绝缘层、阻挡层、电极材料等。
设备特点：最大可支持8英寸（200 mm）基底，同时兼容不规则形状、多孔材料和高深宽比的3D结构；具备双模式沉积 (Thermal + PEALD)：热原子层沉积（Thermal ALD） 常用于高质量的氧化物（如Al2O3，HfO2），等离子体增强原子层沉积（PEALD） 可在低温条件下处理对温度敏感的材料（如聚合物、柔性基底）。
设备名称：电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统（ICPCVD）
设备品牌：Oxford Instruments （英国）
设备型号：PlasmaPro 100 ICPCVD
功能简介：电感耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD）是半导体与微纳加工领域的高端薄膜沉积设备。其工艺原理为独立的高频感应耦合电场激发工艺气体，生成高密度等离子体，通过偏压系统引导活性基团定向迁移至基材表面，发生反应吸附并沉积成膜。全程在低温低压环境下进行，有效降低对基材的损伤风险，满足精细制程对薄膜质量与工艺安全性的双重需求。
设备特点：相比传统的PECVD设备，PlasmaPro 100 ICPCVD具有更高的等离子体密度、更低的离子损伤以及更优异的膜层质量，特别适用于GaN、SiC、InP、GaAs等对界面质量和温度敏感的先进材料工艺。设备支持低温沉积工艺，可有效降低热预算，适用于 MicroLED、光波导、功率器件、量子器件及高端MEMS工艺开发。同时系统具备优异的工艺重复性、膜厚均匀性和长期运行稳定性，可满足科研研发及中试生产需求。
