刻蚀区核心设备展示

设备名称：电感耦合等离子干法刻蚀系统（ICP）

设备品牌：Oxford Instruments （英国）

设备型号：PlasmaPro 100 Cobra

功能简介：电感耦合等离子体刻蚀（ICP）采用双射频解耦控制，具备等离子体密度高、刻蚀速率快、离子能量低、器件损伤小等优势。低压工作环境带来优异的各向异性，可实现高深宽比结构加工，刻蚀选择比高、材料适配范围广、整片均匀性佳，广泛应用于先进半导体、光电子器件及MEMS微纳结构制备领域。

设备特点：PlasmaPro 100 Cobra是牛津仪器推出的高密度电感耦合等离子体 (ICP) 刻蚀系统，核心优势在于双射频独立控制、超宽工艺温度窗口、优异均匀性与低损伤刻蚀，适配200 mm及以下晶圆，在刻蚀GaAs、InP、GaN等III-V族和宽带隙半导体材料方面表现出色，广泛应用于半导体制造、微机电系统（MEMS）、光电器件等领域。

设备名称：反应离子刻蚀系统（RIE）

设备品牌：Oxford Instruments （英国）

设备型号：PlasmaPro 100 RIE

功能简介：反应离子刻蚀融合物理离子轰击与化学活性刻蚀双重作用机制，设备在真空射频环境下激发工艺气体形成等离子体，通过定向加速的高能离子垂直轰击基材表面，搭配活性自由基精准发生化学反应，高效去除指定区域材料，最终形成侧壁笔直、形貌规整的高精度微纳结构。该技术具备优异的各向异性刻蚀能力，刻蚀精度高、均匀性好、可控性强，可适配硅、氧化硅、氮化硅、高分子材料等多种基材，广泛应用于芯片制程、MEMS器件、微纳传感器、光学微结构加工等场景，是实现微米/纳米级精细图案化加工、保障微纳器件高性能、高稳定性的核心工艺支撑。

设备特点：PlasmaPro 100 RIE搭载精准射频功率控制系统与宽域温控模块，搭配氦气背面冷却系统，有效规避加工热损伤，保障刻蚀形貌规整、侧壁垂直光滑。支持SF₆、CHF₅、O₂、Ar等多元工艺气体组合，可适配硅、氧化硅、氮化硅、光刻胶、石墨烯等多种基材的刻蚀与去胶工艺，刻蚀速率稳定、工艺均匀性优异、选材比高。支持自定义工艺配方编辑与参数精准调控，适配微米至纳米级精细图案化加工需求。

设备名称：等离子去胶机

设备品牌：稷以科技 （中国）

设备型号：VIRGO

功能简介：等离子干法去胶，采用低温等离子干法工艺，依托真空环境下的高能活性粒子，高效分解去除特定区域光刻胶及有机残留。全程无需化学试剂，低温处理不伤基材，去胶均匀彻底、无残留、无废液排放，兼具高效性与环保性，广泛适配半导体、微电子、精密器件等高端制造场景。

设备特点：稷以科技VIRGO等离子去胶机，搭载稳定13.56 MHz射频系统，温控精准可调，去胶速率快、整片处理均匀性优异。设备采用国产自研核心技术，真空系统性能出色，工艺损伤低，兼容多路工艺气体，可满足硅基、化合物半导体、MEMS、LED及先进封装等多领域光刻胶灰化、残胶去除、表面清洗活化需求，兼顾研发与量产使用。